Українська / UAH
російська
Модуль пам\'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 8GB 3200 MHz eXceleram (E408322S)
До кінця акції залишилося:
Офіційна гарантія
Способи доставки
- У відділення компанії "Нова пошта"
- Кур'єрская доставка від компанії "Нова пошта"
Способи оплати
- Сплата за реквізитами
- Онлайн сплата
- Післяплата при отриманні
- Рахунок-фактура
Модуль пам\'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 8GB 3200 MHz eXceleram (E408322S)
2 936,00 грн- Гарантія: 120 міс. , 120 місяців
- Охолодження: немає
- Таймінги: CL22
- Буферизація: Unbuffered
- Виробник: eXceleram
- Країна виробництва: Тайвань
- Також шукають: 8 ГБ DDR4
- Тип пам'яті: DDR4
- Об\'єм пам\'яті: 128 Gb
- : 35 Вт
- Кількість модулів у наборі: 1
- Стандарти пам\'яті: PC4-25600
- Частота пам\'яті: 3200 МГц
- Напруга живлення: 1.2 В
- Форм-фактор пам\'яті: 260-pin SO-DIMM
- Перевірка і корекція помилок : non-ECC
- Примітка: Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.
- : стандарт
Модуль пам\'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 8GB 3200 MHz eXceleram (E408322S)
2 936,00 грнНаписати відгук
Оперативна пам\'ять – це один з найважливіших елементів системи, який безпосередньо відповідає за продуктивність додатків. Саме в ній зберігаються тимчасові дані і команди, які необхідні процесору в його роботі для виконання конкретних операцій. Основні характеристики – це тип оперативної пам\'яті; обсяг; тактова частота; таймінг оперативної пам\'яті. Тому, плануючи апгрейд комп\'ютера, варто вибирати тільки якісні комплектуючі, наприклад оперативну пам\'ять SoDIMM DDR4 8GB 3200 MHz eXceleram (E408322S).
Модулі пам\'яті SoDIMM DDR4 8GB 3200 MHz eXceleram (E408322S) створені на базі новітнього покоління технології DDR. Як і всі модулі пам\'яті компанії, модулі пам\'яті DDR4 спроектовані і створені таким чином, щоб повністю відповідати всім вимогам ентузіастів в області розгону ПК. Модулі пам\'яті DDR4 забезпечують більш високу швидкість, більш низький час затримки, більш високу пропускну здатність і зменшене енергоспоживання в порівнянні з модулями пам\'яті DDR3.