русский / UAH
Украинский
Модуль памяти для компьютера DDR4 8GB 3200 MHz eXceleram (E4083222A)
До кінця акції залишилось:
Офіційна гарантія
Способы доставки
- В отделение компании "Новая почта"
- Курьерская доставка от компании "Новая почта"
Способы оплаты
- Оплата по реквизитам
- Мгновенная рассрочка Приватбанк
- Оплата частями от ПриватБанка
- Онлайн оплата
- Наложенный платеж
Модуль памяти для компьютера DDR4 8GB 3200 MHz eXceleram (E4083222A)
3 339,00 грн- Гарантия: 120 міс. , 120 місяців
- Охлаждение: немає
- Тайминги: CL22
- Буферизация: Unbuffered
- Производитель: eXceleram
- Страна производства: Тайвань
- Тип пам'яті: DDR4
- Объем памяти: 128 Gb
- : 6 Вт
- Количество модулей в наборе: 1
- Стандарты памяти: PC4-25600
- Частота памяти: 3200 МГц
- Напряжение питания: 1.2 В
- Форм-фактор памяти: 288-pin DIMM
- Проверка и коррекция ошибок : ні
- Примечание: Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.
- : стандарт
Модуль памяти для компьютера DDR4 8GB 3200 MHz eXceleram (E4083222A)
3 339,00 грнНаписать отзыв
Оперативная память компьютера или ноутбука – это один из важнейших элементов системы, который напрямую отвечает за быстродействие приложений. Именно в ней хранятся временные данные и команды, которые необходимы процессору в его работе для выполнения конкретных операций. Основные характеристики – это тип оперативной памяти; объем; тактовая частота; тайминги (или латентность) оперативной памяти; фирма-производитель. Поэтому, планируя апгрейд своего компьютера, стоит выбирать только качественные комплектующие, например оперативную память DDR4 eXceleram.
Модули памяти DDR4 eXceleram созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR4 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR4 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR3.